器件3D模型

￥ 0.659

SP8K3FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SP8K3FU6TB 数据手册 (4 页)

封装尺寸在1 页

SP8K3FU6TB 数据手册 (4 页)

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SP8K3FU6TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

24 mΩ

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

600pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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SP8K3FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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SP8K3FU6TB 符合标准

SP8K3FU6TB 概述

SP8K3FU6TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.05 MByte

SP8K3FU6TB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.07 MByte

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