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SPA08N80C3XKSA1
1.301
SPA08N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)
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SPA08N80C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.65 Ω
极性
N-Channel
功耗
40 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @100V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40 W

SPA08N80C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm

SPA08N80C3XKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.47 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.11 MByte

SPA08N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPA08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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