￥ 1.969

SPA11N80C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON SPA11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPA11N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

SPA11N80C3XKSA1 数据手册 (10 页)

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SPA11N80C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.39 Ω

极性

N-Channel

功耗

41 W

阈值电压

3 V

输入电容

1600 pF

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

15 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

1600pF @100V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

41 W

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SPA11N80C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.85 mm

高度

9.83 mm

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SPA11N80C3XKSA1 符合标准

SPA11N80C3XKSA1 概述

SPA11N80C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.47 MByte

SPA11N80C3XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPA11N80C3XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

SPA11N80C3XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPA11N80C3XKSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.11 MByte

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INFINEON SPA11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

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