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SPA11N80C3XKSA2
1.73
SPA11N80C3XKSA2 数据手册 (10 页)
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SPA11N80C3XKSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.39 Ω
功耗
34 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
800 V
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1600pF @100V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
34W (Tc)

SPA11N80C3XKSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
16.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPA11N80C3XKSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.56 MByte

SPA11N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPA11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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