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SPA12N50C3
1.226
SPA12N50C3 数据手册 (14 页)
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SPA12N50C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
560 V
额定电流
11.6 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
380 mΩ
极性
N-Channel
功耗
33 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
11.6 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
33 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
33 W

SPA12N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
9.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPA12N50C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.96 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.62 MByte

SPA12N50 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3XKSA1, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
Infineon(英飞凌)
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