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SPB03N60C3ATMA1
0.44
SPB03N60C3ATMA1 数据手册 (2 页)
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SPB03N60C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3-2
极性
N-CH
功耗
38 W
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
3.2A
输入电容值(Ciss)
400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
38 W
耗散功率(Max)
38W (Tc)

SPB03N60C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPB03N60C3ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.5 MByte
Infineon(英飞凌)
38 页 / 0.73 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPB03N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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