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SPB04N60C3
0.282
SPB04N60C3 数据手册 (13 页)
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SPB04N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
4.50 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.85 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
2.5 ns
输入电容值(Ciss)
490pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
9.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

SPB04N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.31 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPB04N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.4 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPB04N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB04N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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