￥ 1.958

SPB11N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON SPB11N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPB11N60C3 数据手册 (18 页)

封装尺寸在16 页

典型应用电路图在1 页

原理图在4 页

SPB11N60C3 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPB11N60C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

查看数据手册 >

SPB11N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SPB11N60C3 符合标准

SPB11N60C3 海关信息

SPB11N60C3 概述