￥ 1.266

SPB12N50C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON SPB12N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPB12N50C3 数据手册 (12 页)

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SPB12N50C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

560 V

额定电流

11.6 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

输入电容

1.20 nF

栅电荷

49.0 nC

漏源极电压(Vds)

560 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

11.6 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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SPB12N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPB12N50C3 符合标准