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SPB12N50C3ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

INFINEON SPB12N50C3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPB12N50C3ATMA1 数据手册 (12 页)

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SPB12N50C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-CH

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

560 V

连续漏极电流(Ids)

11.6A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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SPB12N50C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SPB12N50C3ATMA1 符合标准

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