SPB80P06PGATMA1

￥ 2.199

SPB80P06PGATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON SPB80P06PGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPB80P06PGATMA1 数据手册 (11 页)

SPB80P06PGATMA1 数据手册 (11 页)

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SPB80P06PGATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-80.0 A

封装

TO-263-3

额定功率

340 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

极性

P-Channel

功耗

340 W

阈值电压

3 V

输入电容

5.03 nF

栅电荷

173 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

4026pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

340 W

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SPB80P06PGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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SPB80P06PGATMA1 符合标准

SPB80P06PGATMA1 概述

SPB80P06PGATMA1 数据手册

SPB80P06PGATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.59 MByte

SPB80P06PGATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPB80P06PGATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

SPB80P06PGATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPB80P06PGATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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