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SPD02N60C3BTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON SPD02N60C3BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPD02N60C3BTMA1 数据手册 (13 页)

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SPD02N60C3BTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.7 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

1.8A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

查看数据手册 >

SPD02N60C3BTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPD02N60C3BTMA1 符合标准

SPD02N60C3BTMA1 概述

SPD02N60C3BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.98 MByte

SPD02N60C3BTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPD02N60C3BTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

SPD02N60C3BTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPD02N60C3BTMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.07 MByte

SPD02N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

SPD02N60C3BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD02N60C3BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

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