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SPD02N80C3
0.428
SPD02N80C3 数据手册 (10 页)
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SPD02N80C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
2.00 A
封装
TO-252
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
42 W
阈值电压
3 V
输入电容
290 pF
栅电荷
12.0 nC
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
15 ns
正向电压(Max)
1.2 V
输入电容值(Ciss)
290pF @100V(Vds)
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
42 W

SPD02N80C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPD02N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

SPD02N80 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD02N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD02N80C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N80C3BTMA1, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
CoolMOSTM功率晶体管特点新的革命高电压技术 CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
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