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SPD02N80C3BTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N80C3BTMA1, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPD02N80C3BTMA1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

SPD02N80C3BTMA1 数据手册 (10 页)

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SPD02N80C3BTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

42 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2.4 Ω

极性

N-CH

功耗

42 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

290pF @100V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42W (Tc)

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SPD02N80C3BTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPD02N80C3BTMA1 符合标准

SPD02N80C3BTMA1 概述

SPD02N80C3BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

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