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SPD04N50C3
0.225
SPD04N50C3 数据手册 (11 页)
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SPD04N50C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
560 V
额定电流
4.50 A
封装
TO-252-3
额定功率
42 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.85 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
560 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
470pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

SPD04N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPD04N50C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.71 MByte
Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 1.89 MByte

SPD04N50 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD04N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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