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SPD06N60C3
0.939
SPD06N60C3 数据手册 (11 页)
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SPD06N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
6.20 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.68 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
3 V
输入电容
620 pF
栅电荷
31.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
6.20 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
620pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74 W

SPD06N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPD06N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 1.89 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.27 MByte

SPD06N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD06N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD06N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
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