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SPD08P06PGBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPD08P06PGBTMA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

SPD08P06PGBTMA1 数据手册 (9 页)

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SPD08P06PGBTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

42 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.23 Ω

极性

P-Channel

功耗

42 W

阈值电压

3 V

输入电容

335 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

8.83A

上升时间

46 ns

输入电容值(Ciss)

420pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

42 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42W (Tc)

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SPD08P06PGBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SPD08P06PGBTMA1 符合标准

SPD08P06PGBTMA1 概述

SPD08P06PGBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.58 MByte

SPD08P06PGBTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPD08P06PGBTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

SPD08P06PGBTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPD08P06 数据手册

SPD08P06PGBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

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INFINEON SPD08P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.83 A, -60 V, 0.23 ohm, -6.2 V, -3 V

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