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SPD15P10PLG
0.936
SPD15P10PLG 数据手册 (10 页)
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SPD15P10PLG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
P-Channel
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
128 W

SPD15P10PLG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm

SPD15P10PLG 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.73 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.84 MByte

SPD15P10 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PLGBTMA1, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD15P10PGBTMA1  晶体管, 射频FET, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD15P10PL G  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD15P10P G  晶体管, 射频FET, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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