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SPD18P06PGBTMA1
0.733
SPD18P06PGBTMA1 数据手册 (10 页)
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SPD18P06PGBTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
80 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
P-Channel
功耗
80 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
18.6A
上升时间
5.8 ns
输入电容值(Ciss)
690pF @25V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
80 W

SPD18P06PGBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm

SPD18P06PGBTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

SPD18P06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD18P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD18P06PGBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD18P06P  晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V
Infineon(英飞凌)
60V,-18.6A,P沟道功率MOSFET
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