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SPP11N60C3HKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220

描述:

INFINEON SPP11N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPP11N60C3HKSA1 数据手册 (16 页)

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SPP11N60C3HKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.38 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11A

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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SPP11N60C3HKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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长度

8.64 mm

宽度

10.26 mm

高度

4.4 mm

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SPP11N60C3HKSA1 符合标准

SPP11N60C3HKSA1 概述

SPP11N60C3HKSA1 数据手册

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16 页 / 0.63 MByte

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