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SPP11N80C3XK
2.03
SPP11N80C3XK 数据手册 (9 页)
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SPP11N80C3XK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
11A

SPP11N80C3XK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

SPP11N80C3XK 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.16 MByte

SPP11N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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