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SPW17N80C3A
0.431
SPW17N80C3A 数据手册 (11 页)
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SPW17N80C3A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
800 V
额定电流
17.0 A
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
227W (Tc)
输入电容
610 pF
栅电荷
38.0 nC
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
2320pF @25V(Vds)
下降时间
12 ns
耗散功率(Max)
227W (Tc)

SPW17N80C3A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPW17N80C3A 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.23 MByte

SPW17N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW17N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW17N80C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
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