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SPW20N60C3
1.096
SPW20N60C3 数据手册 (13 页)
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SPW20N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
20.7 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
190 mΩ
极性
N-Channel
功耗
208 W
阈值电压
3 V
输入电容
2.40 nF
栅电荷
114 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
20.7 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
208W (Tc)

SPW20N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPW20N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.8 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 2.6 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPW20N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60CFDFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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