Web Analytics
Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Infineon(英飞凌) > SPW20N60C3FKSA1 Datasheet 文档
SPW20N60C3FKSA1
4.35
SPW20N60C3FKSA1 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SPW20N60C3FKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
20.7 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.19 Ω
极性
N-Channel
功耗
208 W
阈值电压
3 V
输入电容
2400 pF
栅电荷
114 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
20.7 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
208000 mW

SPW20N60C3FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.03 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.95 mm

SPW20N60C3FKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.8 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

SPW20N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z