￥ 2.176

SPW21N50C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON SPW21N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPW21N50C3 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPW21N50C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

560 V

额定电流

21.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

190 mΩ

极性

N-Channel

功耗

208 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

21.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208W (Tc)

查看数据手册 >

SPW21N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SPW21N50C3 符合标准

SPW21N50C3 概述

SPW21N50C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.73 MByte

SPW21N50C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.62 MByte

SPW21N50C3 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

SPW21N50 数据手册

SPW21N50C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPW21N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

SPW21N50C3FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3FKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号