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SPW47N60C3
2.661
SPW47N60C3 数据手册 (14 页)
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SPW47N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
47.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
415 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
70 mΩ
极性
N-Channel
功耗
415 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
47.0 A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
6800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
415 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
415W (Tc)

SPW47N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPW47N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.8 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 2.6 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPW47N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW47N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW47N60C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 46A
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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