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SPW52N50C3FKSA1
0.475
SPW52N50C3FKSA1 数据手册 (12 页)
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SPW52N50C3FKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
560 V
额定电流
52.0 A
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
N-Channel
功耗
417 W
阈值电压
3 V
输入电容
6.80 nF
栅电荷
290 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
52.0 A
输入电容值(Ciss)
6800pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
417 W

SPW52N50C3FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail, Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm

SPW52N50C3FKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

SPW52N50C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW52N50C3  晶体管, MOSFET, CoolMOS, N沟道, 52 A, 500 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS ™功率晶体管 CoolMOS? Power Transistor
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