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SPW55N80C3XK
57.671
SPW55N80C3XK 数据手册 (15 页)

SPW55N80C3XK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
850 V
连续漏极电流(Ids)
54.9A
上升时间
21 ns
下降时间
9 ns

SPW55N80C3XK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPW55N80C3XK 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.2 MByte

SPW55N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW55N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 54.9 A, 850 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW55N80C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 54.9 A, 850 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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