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SQJ431EP-T1_GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8L-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SQJ431EP-T1_GE3 数据手册 (11 页)

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SQJ431EP-T1_GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PowerPAKSO-8L-4

功耗

83 W

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

4355pF @25V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

SQJ431EP-T1_GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

长度

6.15 mm

宽度

5.13 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SQJ431EP-T1_GE3 符合标准

SQJ431EP-T1_GE3 概述

SQJ431EP-T1_GE3 数据手册

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