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SS8050-G
0.029
SS8050-G 数据手册 (6 页)
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SS8050-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
300 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数
350
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

SS8050-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

SS8050-G 数据手册

Comchip Technology(上华科技)
6 页 / 0.12 MByte
Comchip Technology(上华科技)
5 页 / 0.13 MByte

SS8050 数据手册

CJ(长电科技)
NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1
SLKOR(韩国萨科微)
NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印:Y1
SK Hynix(海力士)
NPN硅外延平面晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
在B类推挽操作便携式收音机2W输出放大器。 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
Samsung(三星)
Galaxy Semi-Conductor
NXP(恩智浦)
ON Semiconductor(安森美)
Bruckewell Technology
Micro Commercial Components(美微科)
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