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SS9012GBU
0.016
SS9012GBU 数据手册 (4 页)
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SS9012GBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-500 mA
封装
TO-92-3
极性
PNP
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
112 @50mA, 1V
最大电流放大倍数
202
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

SS9012GBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

SS9012GBU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
17 页 / 0.39 MByte

SS9012 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
食收音机在B类推挽操作1W输出放大器。 1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation.
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SS9012GTA , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=20 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, PNP, -20 V, 625 mW, -500 mA, 144 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
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