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SS9014CBU
0.03
SS9014CBU 数据手册 (4 页)
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SS9014CBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
270 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
450 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @1mA, 5V
最大电流放大倍数
1000
额定功率(Max)
450 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
450 mW

SS9014CBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
宽度
3.93 mm
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

SS9014CBU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte

SS9014 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
前置放大器,低楼层和低噪声 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
ON Semiconductor(安森美)
Samsung(三星)
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SS9014CBU  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 270 MHz, 450 mW, 100 mA, 200 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
SS9014CBU 袋装
ON Semiconductor(安森美)
SS9014 系列 45 V 100 mA 通孔 NPN 外延 硅 晶体管 -TO-92-3
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SS9014ABU , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
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