SSM6L12TU 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V/12V 最大漏极电流IdDrain Current| 500mA/-500mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 145mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 500mA/ 260mΩ@ VGS = -4V, ID = -250mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.1V/-0.5~-1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance Q1: RDS(ON) = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅P/ N沟道MOS类型 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻Q1：RDS（ON）=180mΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） Q2：RDS（ON）=430mΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V）