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SSP1N60B
0.051
SSP1N60B 数据手册 (10 页)
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SSP1N60B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
漏源极电阻
12.0 Ω
极性
N-Channel
功耗
34.0 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.00 A

SSP1N60B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

SSP1N60B 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.83 MByte

SSP1N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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