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STB10NK60ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB10NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 650 mohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB10NK60ZT4 数据手册 (19 页)

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STB10NK60ZT4 数据手册 (19 页)

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STB10NK60ZT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.65 Ω

极性

N-Channel

功耗

115 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

1370pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

115 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115000 mW

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STB10NK60ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB10NK60ZT4 符合标准

STB10NK60ZT4 概述

STB10NK60ZT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.85 MByte

STB10NK60ZT4 其他数据使用手册

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24 页 / 0.91 MByte

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N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

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N沟道600V - 0.65ohm -10A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

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N沟道600V - 0.65Ω - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 600V - 0.65Ω - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

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N沟道650 V， 0.65 Ω ， 10 A ，超网™功率MOSFET稳压保护I2PAK ， D2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.65 Ω, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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