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STB11NK40ZT4
2.405
STB11NK40ZT4 数据手册 (17 页)
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STB11NK40ZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
9.00 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.49 Ω
极性
N-Channel
功耗
110 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
930pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STB11NK40ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.75 mm
宽度
10.4 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STB11NK40ZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.48 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.11 MByte

STB11NK40 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB11NK40ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道400V - 0.49ohm - 9A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道400V - 0.49Ω - 9A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 400V - 0.49Ω - 9A TO-220 - TO-220FP - D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道400 V , 0.49 Ω , 9 A, TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
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