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STB12NM50FDT4
0.17
STB12NM50FDT4 数据手册 (18 页)
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STB12NM50FDT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
500 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
160W (Tc)
输入电容
1.00 nF
栅电荷
12.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
耗散功率(Max)
160W (Tc)

STB12NM50FDT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

STB12NM50FDT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.47 MByte

STB12NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB12NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V , 0.29欧姆, 11A , FDmesh II功率MOSFET (具有快速二极管)的D2PAK , DPAK , TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB12NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics(意法半导体)
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