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STB12NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB12NM50N 数据手册 (10 页)

原理图在1 页

STB12NM50N 数据手册 (10 页)

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STB12NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

380 mΩ

极性

N-Channel

功耗

100 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

6.70 A, 11.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

940pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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STB12NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STB12NM50N 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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