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STB140NF75T4
1.376
STB140NF75T4 数据手册 (18 页)
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STB140NF75T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
120 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
0.0065 Ω
极性
N-Channel
功耗
310 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
120 A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
310 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)

STB140NF75T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB140NF75T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STB140NF75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0065欧姆-120A DPAK / IPAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0065欧姆-120A DPAK / IPAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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