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STB14NK50Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道500V - 0.34ohm - 14ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB14NK50Z-1 数据手册 (19 页)

封装尺寸在11 页 12 页 14 页 16 页

STB14NK50Z-1 数据手册 (19 页)

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STB14NK50Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-262-3

功耗

150W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

输入电容值(Ciss)

2000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STB14NK50Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB14NK50Z-1 符合标准

STB14NK50Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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