￥ 1.363

STB155N3H6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB155N3H6 数据手册 (18 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页 12 页 13 页

STB155N3H6 数据手册 (18 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB155N3H6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

3650pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

查看数据手册 >

STB155N3H6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STB155N3H6 符合标准

STB155N3H6 概述

STB155N3H6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.92 MByte

STB155N3H6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STB155N3 数据手册

STB155N3LH6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mÎ© , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

STB155N3H6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号