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STB155N3LH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mÎ© , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB155N3LH6 数据手册 (18 页)

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STB155N3LH6 数据手册 (18 页)

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STB155N3LH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-Channel

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

85 ns

输入电容值(Ciss)

3800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STB155N3LH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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STB155N3LH6 符合标准

STB155N3LH6 海关信息

STB155N3LH6 数据手册

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18 页 / 0.98 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.98 MByte

STB155N3 数据手册

STB155N3LH6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mÎ© , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

STB155N3H6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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