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STB19NB20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

D2PAK

描述:

N - 沟道增强型的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB19NB20 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STB19NB20 数据手册 (8 页)

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STB19NB20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

19A

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STB19NB20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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STB19NB20 符合标准

STB19NB20 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.2 MByte

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