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STB19NF20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道功率 MOSFET - D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB19NF20 数据手册 (16 页)

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STB19NF20 数据手册 (16 页)

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STB19NF20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

功耗

90 W

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STB19NF20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB19NF20 符合标准

STB19NF20 海关信息

STB19NF20 概述

STB19NF20 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.52 MByte

STB19NF20 其他数据使用手册

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28 页 / 1 MByte

STB19NF20 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 1.02 MByte

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