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STB200NF04T4
4.181
STB200NF04T4 数据手册 (15 页)
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STB200NF04T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
120 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
3.70 mΩ
极性
N-Channel
功耗
310000 mW
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
120 A
上升时间
320 ns
输入电容值(Ciss)
5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
310 W
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310000 mW

STB200NF04T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB200NF04T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.33 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STB200NF04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40V - 120 ​​A - 3.3毫欧TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFETII MOSFET N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40V - 3兆欧姆 - 120 ​​A TO - 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40V - 120 ​​A - 3.3毫欧TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFETII MOSFET N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40V - 3兆欧姆 - 120 ​​A TO - 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
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