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STB20NM50FDT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB20NM50FDT4 数据手册 (16 页)

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STB20NM50FDT4 数据手册 (16 页)

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STB20NM50FDT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

250 mΩ

极性

N-Channel

功耗

192 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

1380pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

192 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

192W (Tc)

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STB20NM50FDT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

9.35 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB20NM50FDT4 符合标准

STB20NM50FDT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.38 MByte

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