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STB21NM60N- 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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STB21NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V , 0.17ヘ, 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK , I2PAK , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
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