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STB21NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB21NM60ND 数据手册 (21 页)

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STB21NM60ND 数据手册 (21 页)

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STB21NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.17 Ω

极性

N-Channel

功耗

140 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

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STB21NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB21NM60ND 符合标准

STB21NM60ND 海关信息

STB21NM60ND 概述

STB21NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.36 MByte

STB21NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STB21NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.34 MByte

STB21NM60ND 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

STB21NM60N- 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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N沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

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