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器件3D模型
¥ 12.971
STB28N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
中高压MOS管
封装:
TO-263-3
描述:
STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STB28N60DM2 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
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STB28N60DM2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.13 Ω
极性
N-Channel
功耗
170 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
21A
上升时间
7.3 ns
输入电容值(Ciss)
1500pF @100V(Vds)
下降时间
9.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)
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STB28N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STB28N60DM2 符合标准
STB28N60DM2 概述
●
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
●
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
●
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
●
符合 AEC-Q101
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