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STB28N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB28N60DM2 数据手册 (19 页)

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STB28N60DM2 数据手册 (19 页)

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STB28N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel

功耗

170 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

7.3 ns

输入电容值(Ciss)

1500pF @100V(Vds)

下降时间

9.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170W (Tc)

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STB28N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB28N60DM2 符合标准

STB28N60DM2 概述

STB28N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.77 MByte

STB28N60DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.85 MByte

STB28N60 数据手册

STB28N60DM2 数据手册

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STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新

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