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STB40NF10T4
0.677
STB40NF10T4 数据手册 (13 页)
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STB40NF10T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.028 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
63 ns
输入电容值(Ciss)
1780pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

STB40NF10T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-50℃ ~ 175℃ (TJ)

STB40NF10T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.37 MByte

STB40NF10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.028ohm - 40A D2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.024ohm - 50A TO- 220 / D2PAK / I2PAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
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